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BUL381	文件：133.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage capability ·Very high switching speed APPLICATIONS ·Designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. 文件：133.26 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUL381	文件：84.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage capability ·Very high switching speed APPLICATIONS ·Designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. 文件：84.38 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BUL381	文件：92.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage capability ·Very high switching speed APPLICATIONS ·Designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. 文件：92.45 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BUL381	文件：72.82 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The BUL381 and BUL382 manufactured using high voltage Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance. They use a Hollow Emitter structure to enhance switching speeds. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power 文件：72.82 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL381	文件：94.02 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：94.02 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BUL381	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR	ST 意法半导体	ST
BUL381D	文件：79.78 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The BUL381D is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE 文件：79.78 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL381D	文件：93.04 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage ,high speed ·Integrated antiparallel collector-emitter diode APPLICATIONS ·Designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. 文件：93.04 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BUL381D	文件：134.43 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage ,high speed ·Integrated antiparallel collector-emitter diode APPLICATIONS ·Designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. 文件：134.43 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUL381D	文件：85.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage capability ·Very high switching speed ·Integrated antiparallel collector-emitter diode APPLICATIONS ·Designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies. 文件：85.84 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
BUL381D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Di
性质：
INTEGR_DAMPER_DI
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUL38D,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
800
htest：
999900
atest：
5
wtest：
70

技术参数

Package：
TO-220AB
Grade：
Industrial
Transistor Polarity：
NPN
Collector-Emitter Voltage_nom(V)：
400
Collector-Emitter Voltage_max(V)：
400
Collector-Base Voltage_max(V)：
800
Collector Current_max(A)：
5
Collector Current_abs_max(A)：
5
Dc Current Gain_min：
8
Test Condition for hFE (IC)：
2
Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：
5
VCE(sat)_max(V)：
1.1
Test Condition for VCE(sat) - IC：
3
Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：
750

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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