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BUK961R4-30E

N-channel TrenchMOS logic level FET

Logic level N-channel MOSFET in a SOT404 package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.

Nexperia

安世

BUK961R4-30E

丝印:BUK961R4-30E;Package:D2PAK;N-channel TrenchMOS logic level FET

文件:520.46 Kbytes 页数:15 Pages

NEXPERIA

安世

BUK961R4-30E,118

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

恩XP

恩XP

BUK962R5-60E

恩XP

BUK9637-100E

D2PAK

NEXPERIA

安世

上传:万三科技(深圳)有限公司

详细参数

  • 型号:

    BUK961R4-30E

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel TrenchMOS

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多BUK961R4-30E供应商 更新时间2026-10-21 14:16:00