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BUK9608-55	文件：68.83 Kbytes Page：8 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingUsing’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintendedfor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK9608-55A	文件：856.02 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits Lo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9608-55A	文件：333.78 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUK9608-55A	文件：328.46 Kbytes Page：14 Pages	TrenchMOSlogiclevelFET Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology,featuringverylowon-stateresistance. Features ■TrenchMOS™technology ■Q101compliant ■175°Crated ■Logiclevelcompatible. Applications ■Automotiveandgeneralpu	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK9608-55B	文件：788.17 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits Lo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9608-55B	文件：333.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitchi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUK9608-55B	文件：199.01 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK9608-55B	文件：199.01 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtotheappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. Featuresandbenefits ■Lowconduct	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
BUK9608-55,118
功能描述：
MOSFET BUK9608-55/SOT404/REEL13//
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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