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BUK9620-100A	文件：321.63 Kbytes Page：15 Pages	TrenchMOS logic level FET Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology,featuringverylowon-stateresistance. Features ■TrenchMOS™technology ■Q101compliant ■175°Crated ■Logiclevelcompatible. Applications ■Automotiveandgeneral	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK9620-100A	文件：333.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUK9620-100B	文件：703.96 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits AE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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文件：321.63 Kbytes

Page：15 Pages

TrenchMOS logic level FET

Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology,featuringverylowon-stateresistance. Features ■TrenchMOS™technology ■Q101compliant ■175°Crated ■Logiclevelcompatible. Applications ■Automotiveandgeneral

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

BUK9620-100A

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isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswitch

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

BUK9620-100B

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N-channelTrenchMOSlogiclevelFET

1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits AE

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

详细参数

型号：
BUK9620-100A
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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