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BUK6E4R0-75C规格书详情
描述 Description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
技术参数
- 型号：
BUK6E4R0-75C
- 功能描述：
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS FET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
LFPAK56 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
原装现货订货价格优势 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
TO-262 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
SOT669 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装，正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
标准封装 |
6000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT669 |
3002 |
原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
N/A |
6000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 |
