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BUK6E2R0-30C数据手册Nexperia中文资料规格书

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厂商型号

BUK6E2R0-30C

功能描述

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-5 23:00:00

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BUK6E2R0-30C规格书详情

描述 Description

Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.

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