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BUK6E2R3-40C数据手册Nexperia中文资料规格书
BUK6E2R3-40C规格书详情
描述 Description
Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.
技术参数
- 型号：
BUK6E2R3-40C
- 功能描述：
MOSFET N-CHAN 40V 120A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia USA Inc. |
21+ |
I2PAK |
5000 |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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