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BUK6E2R0-30C	文件：917.54 Kbytes Page：15 Pages	N-channel TrenchMOS intermediate level FET 1.1 General description Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance automotive appl 文件：917.54 Kbytes 页数：15 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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更多BUK6E2R0-30C供应商更新时间2026-2-9 14:00:00