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深圳市惊羽科技有限公司4年
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
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更多BUK761R3-30E,118功能描述:MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
