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BUJ105AB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BUJ105AB
厂商型号

BUJ105AB

参数属性

BUJ105AB 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 8A D2PAK

功能描述

Silicon Diffused Power Transistor

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

66.94 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

原厂标识

PHILIPS

数据手册

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更新时间

2025-8-2 11:52:00

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BUJ105AB规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in SOT404 (D2-PAK) surface-mount package intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.

产品属性

  • 产品编号:

    BUJ105AB,118

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 800mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    13 @ 500mA,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 8A D2PAK

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