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BUJ100分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BUJ100

参数属性

BUJ100 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 1A TO92-3

功能描述

Silicon Diffused Power Transistor

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

62.52 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-11-3 23:10:00

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BUJ100规格书详情

GENERAL DESCRIPTION

High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in the TO92 envelope intended for use in compact fluorescent lamps and low power electronic lighting ballasts, converters and inverters, etc.

产品属性

  • 产品编号:

    BUJ100,412

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 150mA,750mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    9 @ 750mA,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS NPN 400V 1A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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