选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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NXPTO-92 |
16985 |
23+ |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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NXPTO92 |
200 |
1329+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
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PHISOP-8 |
21322 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳科宇泰科技有限公司4年
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WeEn/瑞能TO-92-3 |
4000 |
21+ |
保证原装正品,需要直接联系张小姐,13544103396 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
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NXP/恩智浦TO-92 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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PHSOT54 |
21000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
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NXP/恩智浦TO-92 |
100000 |
21+ |
原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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NXP/恩智浦NA/ |
250 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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NXP/恩智浦TO-92 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
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NXP/恩智浦TO92 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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NXP/恩智浦TO92 |
9852 |
1937+ |
只做进口原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
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NXPTO-92 |
20315 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
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NXP/恩智浦TO-92 |
100000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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PHSOT54TO-92 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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NXPTO-92 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
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NXP/恩智浦TO-92 |
90000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
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NXP/恩智浦TO92 |
10000 |
2122+ |
全新原装进口,价格美丽 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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NXP |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
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PHILIPS(飞利浦)SOT223 |
3800 |
21+ |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
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NXPTO92 |
2700 |
23+ |
原厂原装正品 |
BUJ100采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BUJ100图片
BUJ100LR,412价格
BUJ100LR,412价格:¥0.3129品牌:NXP
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更多BUJ100制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100,126功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ100,412功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin SPT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
buj100412制造商:NXP Semiconductors
BUJ100AT制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100B功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92
BUJ100B,116功能描述:两极晶体管 - BJT TAPERA BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ100LR制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORNPN400V1ATO-92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,400V,1A,TO-92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,400V,1A,TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:7.5; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUJ100LR,126功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BUJ100LR,412功能描述:两极晶体管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2