BUJ105A分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BUJ105A |
| 参数属性 | BUJ105A 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 8A D2PAK |
| 功能描述 | Silicon Diffused Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
71.44 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 原厂标识 | PHILIPS |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 9:51:00 |
| 人工找货 | BUJ105A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUJ105A规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.
产品属性
- 产品编号：
BUJ105AB,118
- 制造商：
WeEn Semiconductors
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 800mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
13 @ 500mA，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
TRANS NPN 400V 8A D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
25+23+ |
TO-252 |
20807 |
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询价 | ||
恩XP |
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恩XP |
23+ |
TO-252 |
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TO-220AB |
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恩XP |
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TO-263 |
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恩XP |
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TO-220 |
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