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FRE460H	文件：48.03 Kbytes Page：6 Pages	12A,500V,0.410Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessra	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRE460R	文件：48.03 Kbytes Page：6 Pages	12A,500V,0.410Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessra	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRK460	文件：49.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FRK460D	文件：47.99 Kbytes Page：6 Pages	17A,500V,0.400Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessr	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRK460H	文件：47.99 Kbytes Page：6 Pages	17A,500V,0.400Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessr	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRK460R	文件：47.99 Kbytes Page：6 Pages	17A,500V,0.400Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25mΩ.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutronhardnessr	Intersil Intersil Corporation	Intersil
GFC460	文件：102.16 Kbytes Page：1 Pages	NChannelPowerMOSFETwithhighVDS	GSG Gunter Seniconductor GmbH.	GSG
GL460	文件：46.79 Kbytes Page：4 Pages	DoubleEndedMoldTypeInfraredEmittingDiode ■Features 1.Smalldouble-endtypepackage(packagingarea:37smallerthanGL480) 2.Highoutputpowertype(GL461) 3.Tapedmodels2,000pcs/reel(GL460T/GL461T) ■Applications 1.Floppydiskdrives 2.VCRs 3.Audioequipment	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
GSC-460	文件：110.97 Kbytes Page：3 Pages	Two-PieceGroundingConnectorsforShieldedandCoaxialCable	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GSIB460	文件：55.07 Kbytes Page：2 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
BUF460
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Power Module
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BUF460供应商更新时间2025-7-25 11:04:00

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