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BU506D	文件：77.38 Kbytes Page：12 Pages	Silicon diffused power transistors DESCRIPTION High-voltage, high-speed, switching NPN power transistor in a TO-220AB package. The BU506D has an integrated efficiency diode. APPLICATIONS • Horizontal deflection circuits of colour television receivers • Line-operated switch-mode applications. 文件：77.38 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BU506D	文件：91.32 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High voltage ·Fast switching speed ·Built-in damper diode APPLICATIONS ·Horizontal deflection circuits of colour TV receivers. ·Line-operated switch-mode applications. 文件：91.32 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BU506D	文件：92.9 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：92.9 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BU506D	文件：55.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：55.07 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BU506D	文件：131.64 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：131.64 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU506DF	文件：106.99 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High voltage ·High-speed switching ·Built-in damper diode. APPLICATIONS ·Horizontal deflection circuits of colour TV receivers. ·Line-operated switch-mode applications 文件：106.99 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BU506DF	文件：83.18 Kbytes Page：12 Pages	Silicon diffused power transistors DESCRIPTION High-voltage, high-speed switching NPN power transistor in a SOT186 package. The BU506DF has an integrated efficiency diode. APPLICATIONS • Horizontal deflection circuits of colour television receivers • Line-operated switch-mode applications. 文件：83.18 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BU506DF	文件：108.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：108.57 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BU506DF	文件：131.74 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：131.74 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BU506DF	文件：48.61 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：48.61 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
BU506D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Di
性质：
+INTEGR_DIODE
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1500V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
100W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
5
wtest：
100

技术参数

Material：
Si
Maximum Collector Emitter Voltage：
700V
Maximum DC Collector Current：
5A
Type：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
芯有半导体（深圳）有限公司	BU506D	PHI	05+	原厂原装	10451	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	BU506D		24+	TO-220	10000	全新	询价
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更多BU506D供应商更新时间2026-1-17 10:32:00

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