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BU506D中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

BU506D

功能描述

Silicon diffused power transistors

文件大小

77.38 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-1-24 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BU506D

  • 别名:

    BU506D三极管、BU506D晶体管、BU506D晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Di

  • 性质:

    +INTEGR_DIODE

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1500V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    1500

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    100

BU506D规格书详情

DESCRIPTION

High-voltage, high-speed, switching NPN power transistor in a TO-220AB package. The BU506D has an integrated efficiency diode.

APPLICATIONS

• Horizontal deflection circuits of colour television receivers

• Line-operated switch-mode applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
2026+
TO-3PF
10
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ST
25+
标准封装
18000
原厂直接发货进口原装
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PHI
25+
TO3P
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
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PH
23+
TO-220
200
询价
SANYO
23+
TO-3P
5500
现货,全新原装
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24+
TO-220
10000
全新
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SANYO
23+
TO-3P
30000
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