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BU506DF中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

BU506DF

功能描述

Silicon diffused power transistors

文件大小

83.18 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-1-24 20:00:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BU506DF

  • 别名:

    BU506DF三极管、BU506DF晶体管、BU506DF晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Di

  • 性质:

    LSO

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1500V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BU1506DX,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    1500

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    20

BU506DF规格书详情

DESCRIPTION

High-voltage, high-speed switching NPN power transistor in a SOT186 package. The BU506DF has an

integrated efficiency diode.

APPLICATIONS

• Horizontal deflection circuits of colour television receivers

• Line-operated switch-mode applications.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
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