首页>BSZ017NE2LS5I>规格书详情
BSZ017NE2LS5I中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
BSZ017NE2LS5I规格书详情
描述 Description
凭借 OptiMOS™ 5 25V 和 30V 产品系列，英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度和高能效来提供基准解决方案。
特性 Features
• 同类中较为出色的导通电阻
• 基准开关性能 (极低的 R on x Q g 和 R on x Q gd品质因数)
• 符合 RoHS 标准且无卤素
• 优化的 EMI 行为 (集成阻尼网络)
优势:
• 高效率
• 具有 S3O8 或功率块封装的极高功率密度
• 降低整体系统成本
• 在高开关频率下操作
应用 Application
• 台式机 和 服务器
• 单相和多相 POL
• 笔记本中的 CPU/GPU VR
• 高功率密度稳压器
• Or-ing
• 电熔丝
技术参数
- 制造商编号
：BSZ017NE2LS5I
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：BSZ017NE2LS5IATMA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)
- VDS max
：25 V
- RDS (on) @10V max
：1.7 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
：2.3 mΩ
- ID @25°C max
：40 A
- QG typ @10V
：22 nC
- QG typ @4.5V
：10.5 nC
- Special Features
：Monolithically Integrated Schottky-like Diode
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：150 °C
- VGS(th) min
：1.2 V
- VGS(th) max
：2 V
- Technology
：OptiMOS™ 5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TSDSON-8(3 |
11318 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SON8 |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SON8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TSDSON-8 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
18+ |
SON8 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2223+ |
SON8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
21+ |
SON8 |
30000 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6 |
986966 |
国产 |
询价 |
