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BSZ010NE2LS5中文资料采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 25 V 功率 MOSFET,提高效率数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BSZ010NE2LS5

功能描述

采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 25 V 功率 MOSFET,提高效率

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 12:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BSZ010NE2LS5

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSZ010NE2LS5ATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)

  • VDS max

    :25 V

  • RDS (on) @10V max

    :1 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :1.3 mΩ

  • ID @25°C max

    :40 A

  • QG typ @10V

    :44.5 nC

  • QG typ @4.5V

    :21 nC

  • Special Features

    :ORing/Efuse

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :1.2 V

  • VGS(th) max

    :2 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
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