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BSZ014NE2LS5IF中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
BSZ014NE2LS5IF规格书详情
描述 Description
凭借 OptiMOS™ 5 25V 和 30V 产品系列，英飞凌通过在待机和全功率运行中实现高功率密度和高能效来提供基准解决方案。
特性 Features
• 同类中较为出色的导通电阻
• 基准开关性能 (极低的 R on x Q g 和 R on x Q gd品质因数)
• 符合 RoHS 标准且无卤素
• 优化的 EMI 行为 (集成阻尼网络)
优势:
• 高效率
• 具有 S3O8 或功率块封装的极高功率密度
• 降低整体系统成本
• 在高开关频率下操作
应用 Application
• 台式机 和 服务器
• 单相和多相 POL
• 笔记本中的 CPU/GPU VR
• 高功率密度稳压器
• Or-ing
• 电熔丝
技术参数
- 制造商编号
：BSZ014NE2LS5IF
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：BSZ014NE2LS5IFATMA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：PQFN 3x3 (PG-TSDSON-8)
- VDS max
：25 V
- RDS (on) @10V max
：1.45 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
：2.1 mΩ
- ID @25°C max
：40 A
- QG typ @10V
：23 nC
- QG typ @4.5V
：11 nC
- Special Features
：Monolithically Integrated Schottky-like Diode
- Polarity
：N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：150 °C
- VGS(th) min
：1 V
- VGS(th) max
：2 V
- Technology
：OptiMOS™ 5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
PG-TSDSON-8 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TSDSON8 |
60000 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
PG-TSDSON-8 |
8000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
标准封装 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TSDSON-8 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
PG-TSDSON-8 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TSDSON8 |
5000 |
只做原装 实单支持 |
询价 |
