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BSS670S2L数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

BSS670S2L

参数属性

BSS670S2L 包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

功能描述

Small Signal MOSFET
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 9:36:00

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BSS670S2L规格书详情

描述 Description

所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用(2N7002 除外)。

特性 Features

• 增强模式
• 无铅镀层;符合 RoHS
• 质量符合 AEC Q101 标准
/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}
优势:

应用 Application

• 汽车
• 消费品
• 直流-直流
• 电动交通
• 电机控制
• 板载充电器
• 通信 

简介

BSS670S2L属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的BSS670S2L晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BSS670S2L

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :BSS670S2LH6327XTSA1

  • Qualification

    :Automotive

  • VDS max

    :55 V

  • RDS (on) @10V max

    :650 mΩ

  • QG typ @10V

    :1.7 nC

  • Special Features

    :Small Signal

  • VGS(th) min

    :1.2 V

  • VGS(th) max

    :2 V

  • Technology

    :OptiMOS™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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