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BSS670AHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 60V 650mA, SOT-23, Small Signal MOSFET for Automotive BSS670AHZG is Single Nch 60V 650mA MOSFET and ESD protection diode are included in the SST3 package. This product is ideal for switching circuits and low-side loadswitch, relay driver applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101. • Very fast switching\n• Ultra low voltage drive (2.5V drive)\n• ESD protection up to 2kV (HBM)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant.\n• Halogen Free.\n• AEC-Q101 Qualified.;	ROHM 罗姆	ROHM
BSS670S2L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal MOSFET 所有的小型单个 n 通道系列产品均适合汽车应用（2N7002 除外）。 • 增强模式\n• 无铅镀层；符合 RoHS\n• 质量符合 AEC Q101 标准\n /* Style Definitions */ table.MsoNormalTable{mso-style-name:\"Table Normal\";mso-style-parent:\"\";line-height:115%;font-size:11.0pt;\"Calibri\",\"sans-serif\";mso-fareast-\"Times New Roman\";}\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
BSS670S2L	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V N-Channel MOSFET	JSMICRO 杰盛微	JSMICRO
BSS670S2LH6433XTMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BSS67
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_开关管（S）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BSR17,
最大耗散功率：
放大倍数：
β>100
图片代号：
H-15
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

封装：
SOT-23
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-23
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
0.65
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.58
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
49
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
1
Power Dissipation (PD)[W]：
0.35
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.4 (t=1.2)

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