| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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4年
留言
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INFINEONSMD |
8800 |
25+ |
公司只做原装,详情请来电咨询 |
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Infineon(英飞凌)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌23+ |
6000 |
SOT23 |
专业配单原装正品假一罚十 |
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4年
留言
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INFINEONSOT23-3 |
16500 |
2年内 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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6年
留言
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2980SOT-323 |
2019 |
F |
92 |
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4年
留言
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INFINEONSOT23 |
8500 |
24+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
11543 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
25000 |
25+ |
代理渠道假一罚十 |
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13年
留言
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INFINEONSOT23-3 |
6000 |
25+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
45000 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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14年
留言
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INFINEONSOT23 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-23 |
11543 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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11年
留言
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INFINEONSOT-23 |
12350 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
46780 |
26+ |
全新原装现货,假一赔十,支持检测 |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌) |
25650 |
23+ |
新到现货,只做原装进口 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
6800 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
BSS67采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BSS67图片
BSS670S2LH6327XTSA1价格
BSS670S2LH6327XTSA1价格:¥0.2327品牌:Infineon Technologies
生产厂家品牌为Infineon Technologies的BSS670S2LH6327XTSA1多少钱,想知道BSS670S2LH6327XTSA1价格是多少?参考价:¥0.2327。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BSS670S2LH6327XTSA1批发价格及采购报价,BSS670S2LH6327XTSA1销售排行榜及行情走势,BSS670S2LH6327XTSA1报价。
BSS670S2LH6327中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS67功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER SWITCHING TRANSISTORS
BSS670S2L功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS670S2L H6327功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS670S2L L6327功能描述:MOSFET N-CH 55V 0.54A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS670S2L_06制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Buck converter series
BSS670S2LH6327制造商:Infineon Technologies AG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:55V,540MA,N-channel Power MOSFET 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:55V,540MA Power MOSFET
BSS670S2LH6327XT功能描述:MOSFET OptiMOS Buck Converter Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS670S2LH6327XTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
BSS670S2LL6327HTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
BSS67CTA功能描述:两极晶体管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性质:
表面帖装型 (SMD)_开关管 (S)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
60V
- 最大电流允许值:
0.1A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BSR17,
- 最大耗散功率:
- 放大倍数:
β>100
- 图片代号:
H-15
- vtest:
60
- htest:
999900
- atest:
0.1
- wtest:
0


































