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BSS138Q	文件：592.33 Kbytes Page：6 Pages	50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The BSS138Q is suitable for automotive applications requiring 文件：592.33 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138Q-7-F	文件：387.49 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features ● Low On-Resistance ● Low Gate Threshold Voltage ● Low Input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input/Output Leakage ● Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) ● Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) ● Qualified to AEC-Q101 Standards for Hi 文件：387.49 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138Q-7-F	文件：592.33 Kbytes Page：6 Pages	丝印：K38；Package：SOT23；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) The BSS138Q is suitable for automotive applications requiring 文件：592.33 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
BSS138Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.	Diodes 美台半导体	Diodes
BSS138Q-7-F-ES	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	ElecSuper 静芯	ElecSuper

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Yes
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
50 V
VGS：
20 ±V
IDS @TA = +25°C：
0.2 A
PD @TA = +25°C：
0.3 W
RDS(ON)Max @ VGS(10V)：
3500 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V：
N/A nC
QG Typ@ VGS = 10V(nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤科源兴科技有限公司	BSS138Q-7-F	DISCRETE	3000	DIO	204000		询价
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