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BSS138P	文件：181.48 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFETtechn 文件：181.48 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
BSS138P	文件：742.21 Kbytes Page：16 Pages	丝印：AN；Package：TO-236AB；60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology AEC- 文件：742.21 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS138P	文件：1.96489 Mbytes Page：5 Pages	丝印：J2x；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance N-Channel MOSFET Low input capacitance Fast switching speed ESD Protection 文件：1.96489 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSS138PDW-HF	文件：628.49 Kbytes Page：7 Pages	丝印：138；Package：SOT-363；MOSFET Features - Low on-resistance. - Fast switching speed. - Low input capacitance. 文件：628.49 Kbytes 页数：7 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP
BSS138PS	文件：508.84 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NZt；Package：SOT23-6；Load Switch Features VDS (V) = 60V RDS(ON) 文件：508.84 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
BSS138PS	文件：635.39 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NZt；Package：SOT23-6；MOSFET Features RDS(ON) 文件：635.39 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
BSS138PS	文件：920.29 Kbytes Page：16 Pages	丝印：NZ；Package：SC-88；60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technolog 文件：920.29 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS138PS	文件：374.19 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ■ Logic-level compatible ■ Very fast switching ■ Trench MOSFET technology ■ AEC- 文件：374.19 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
BSS138PW	文件：904.93 Kbytes Page：16 Pages	丝印：XJ；Package：SC-70；60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits Logic-level compatible Very fast switching Trench MOSFET technology A 文件：904.93 Kbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS138PW	文件：1.98353 Mbytes Page：5 Pages	丝印：SS；Package：SOT-323；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance N-Channel MOSFET Low input capacitance Fast switching speed ESD Protection 文件：1.98353 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1600
RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.36
QGD [typ] (nC)：
0.24
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.72
Ptot [max] (W)：
0.35
VGSth [typ] (V)：
1.2
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
38
Coss [typ] (pF)：
7
Release date：
2011-03-09

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	BSS138P	恩XP	25+	SOT23	18600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市龙瀚电子有限公司	BSS138P	恩XP	16+/17+	SOT23	3500	原装正品现货供应56	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	BSS138P	NEXPERIA/安世	2021+	SOT-23	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
深圳市跃创芯科技有限公司	BSS138P	NEXPERIA/安世	21+	SOT-23-3	60000	绝对原装正品现货,假一罚十	询价

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