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BSS138PS	文件：508.84 Kbytes Page：7 Pages	Marking：NZt；Package：SOT23-6；Load Switch Features VDS(V)=60V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
BSS138PS	文件：635.39 Kbytes Page：7 Pages	Marking：NZt；Package：SOT23-6；MOSFET Features RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SMBJ100A-AT	文件：3.25781 Mbytes Page：7 Pages	Marking：NZT；Package：DO-214AA；600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors Features Glasspassivatedorplanarjunction Excellentclampingcapability Repetitionrate(dutycycle):0.01 Lowprofilepackageandlowinductance 600WPeakPulsepowercapabilityat10×1000μswaveform Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0VtoVBRmin Hightemperaturesolde	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

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BSS138PS

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Marking：NZt；Package：SOT23-6；Load Switch

Features VDS(V)=60V RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友台半导体广东友台半导体有限公司

UMW

BSS138PS

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Page：7 Pages

Marking：NZt；Package：SOT23-6；MOSFET

Features RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

EVVOSEMI

SMBJ100A-AT

文件：3.25781 Mbytes

Page：7 Pages

Marking：NZT；Package：DO-214AA；600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

Features Glasspassivatedorplanarjunction Excellentclampingcapability Repetitionrate(dutycycle):0.01 Lowprofilepackageandlowinductance 600WPeakPulsepowercapabilityat10×1000μswaveform Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0VtoVBRmin Hightemperaturesolde

UNSEMIUN Semiconducctor INC

优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司

UNSEMI

详细参数

型号：
NZT
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Power Transistor
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多NZT供应商更新时间2025-5-29 14:01:00

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