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BSS138BK	文件：2.36138 Mbytes Page：6 Pages	N Channel MOSFET Features •High density cell design for extremely low RDS(on) •Rugged and Reliable Application •Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS •Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories,Transistors, etc. •Battery Operated Systems •Solid-State Relays 文件：2.36138 Mbytes 页数：6 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
BSS138BK	文件：1.58605 Mbytes Page：16 Pages	丝印：SB；Package：TO-236AB；60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Logic-level compatible  Very fast switching  Trench MOSFET technology  ES 文件：1.58605 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS138BK	文件：865.01 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits - Logic-level compatible - Very fast switching - Trench MOSFETtechn 文件：865.01 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
BSS138BK	文件：1.96664 Mbytes Page：5 Pages	丝印：J2x；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance N-Channel MOSFET Low input capacitance Fast switching speed ESD Protection 文件：1.96664 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSS138BK	文件：865.01 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET 文件：865.01 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
BSS138BKS	文件：1.60573 Mbytes Page：17 Pages	丝印：LG；Package：TSSOP6；60 V, 320 mA dual N-channel Trench MOSFET 1.1 General description Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Logic-level compatible  Very fast switching  Trench MOSFET techno 文件：1.60573 Mbytes 页数：17 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS138BKS	文件：2.00525 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET Application « Reverse Battery protection » Load switch « Power management » Motor Control 文件：2.00525 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSS138BKW	文件：1.58549 Mbytes Page：16 Pages	丝印：AD；Package：SC-70；60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Logic-level compatible  Very fast switching  Trench MOSFET technology  ESD 文件：1.58549 Mbytes 页数：16 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BSS138BKW	文件：1.98563 Mbytes Page：5 Pages	丝印：SS；Package：SOT-323；nullN-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Low on-resistance N-Channel MOSFET Low input capacitance Fast switching speed ESD Protection 文件：1.98563 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
BSS138BKW	文件：864.87 Kbytes Page：16 Pages	60 V, 320 mA N-channel Trench MOSFET General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Features and benefits ■ Logic-level compatible ■ Very fast switching ■ Trench MOSFET technology ■ ESD protection 文件：864.87 Kbytes 页数：16 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1600
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
2200
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
6500
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.36
QGD [typ] (nC)：
0.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.6
Ptot [max] (W)：
0.35
VGSth [typ] (V)：
1.1
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
42
Coss [typ] (pF)：
7
Release date：
2011-08-09

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