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BSS138BK	文件：300 bytes Page：1 Pages	60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Logic-level compatible\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ESD protection up to 1.5 kV\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
BSS138BKDW-TPQ2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal MOSFETS	MCC 美微科	MCC

技术参数

Package name：
SOT23
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)：
1600
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
2200
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
6500
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.36
QGD [typ] (nC)：
0.2
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.6
Ptot [max] (W)：
0.35
VGSth [typ] (V)：
1.1
Automotive qualified：
Y
Ciss [typ] (pF)：
42
Coss [typ] (pF)：
7
Release date：
2011-08-09

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