0.2A, 50V N-CHANNEL POWER MOSFET

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采用 SOT23 封装且击穿电压为 240 V 的工业级 N 沟道小信号 MOSFET

英飞凌的小信号和小功率 MOSFET 具有最佳的性价比和小尺寸封装，最适合广泛的应用和电路。这些包括低压驱动器、线性电池充电器、电池保护、负载开关、DC-DC转换器、反极性保护等。 • 100% 雪崩测试\n• 逻辑级别\n• 无铅电镀；符合 RoHS 规定\n• 符合工业应用要求;

Infineon

英飞凌

N-Channel SIPMOS Small-Signal Transistor

Infineon

英飞凌

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

Infineon

英飞凌

包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 描述：MOSFET N-CH SOT23

DIODES

美台半导体