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BSP16T1	文件：109.16 Kbytes Page：6 Pages	SOT-223 PACKAGE PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT SOT-223 Package High Voltage Transistor PNP Silicon 文件：109.16 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BSP16T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	SOT-223 PACKAGE PNP SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR SURFACE MOUNT	恩XP	恩XP
BSP16T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 300V 0.1A SOT223	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSP16T1G	文件：66.2 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Transistors PNP Silicon SOT-223 Package High Voltage Transistor PNP Silicon 文件：66.2 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BSP16T1G	文件：118.57 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Transistors High Voltage Transistors PNP Silicon Features • Pb-Free Package is Available 文件：118.57 Kbytes 页数：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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BSP16T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 300V 0.1A SOT223	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BSP16T1
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，10V
频率 - 跃迁：
15MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS PNP 300V 0.1A SOT223

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更多BSP16T1供应商更新时间2026-4-18 23:00:00

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