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BSP52T1G	文件：90.23 Kbytes Page：3 Pages	NPN Small-Signal Darlington Transistor NPNSmall−SignalDarlingtonTransistor ThisNPNsmallsignalDarlingtontransistorisdesignedforuseinswitchingapplications,suchasprinthammer,relay,solenoidandlampdrivers.ThedeviceishousedintheSOT-223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Fe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BSP52T1G	文件：96.73 Kbytes Page：4 Pages	NPN Small-Signal Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BSP52T1G	文件：180.44 Kbytes Page：6 Pages	NPN Small-Signal Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BSP52T1G	文件：47.34 Kbytes Page：4 Pages	NPN Small?뭆ignal Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BSP52T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BSP52T1G_12	文件：96.73 Kbytes Page：4 Pages	NPN Small-Signal Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BSP52T1G_V01	文件：180.44 Kbytes Page：6 Pages	NPN Small-Signal Darlington Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BSP52T1	文件：113.4 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMPOWERNPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORSURFACEMOUNT PNPSmall-SignalDarlingtonTransistors ThisPNPsmallsignaldarlingtontransistorisdesignedforuseinswitchingapplications,suchasprinthammer,relay,solenoidandlampdrivers.ThedeviceishousedintheSOT-223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BSP52T1	文件：113.4 Kbytes Page：6 Pages	MEDIUMPOWERNPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORSURFACEMOUNT NPNSmall−SignalDarlingtonTransistor ThisNPNsmallsignalDarlingtontransistorisdesignedforuseinswitchingapplications,suchasprinthammer,relay,solenoidandlampdrivers.ThedeviceishousedintheSOT-223package,whichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Fe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BSP52T1	文件：47.34 Kbytes Page：4 Pages	NPNSmall?뭆ignalDarlingtonTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

产品编号：
BSP52T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 500mA，10V
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223

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更多BSP52T1G供应商更新时间2024-4-25 16:08:00

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