| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌SO-8 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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12年
留言
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INFINEON/英飞凌SO-8 |
25000 |
25+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
33600 |
25+ |
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INFINEON/英飞凌全新特价BSO4420即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
8848 |
24+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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7年
留言
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INFINEONSOP-8 |
1500 |
2026+ |
原装正品 假一罚十! |
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5年
留言
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Infineon Technologies8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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4年
留言
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Infineon/英飞凌SOP-8 |
12000 |
24+ |
原装正品 假一罚十 可拆样 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO-8 |
25000 |
25+ |
代理原装现货 假一赔十 |
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10年
留言
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INFINEONNA |
1838 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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15年
留言
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INFINEONSOP-8 |
23005 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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13年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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10年
留言
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INFINEONSOP-8 |
8500 |
24+ |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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14年
留言
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InfineonSOP8 |
7936 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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17年
留言
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Infineon8-SOIC |
7500 |
24+ |
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3年
留言
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INFINEONSOP-8 |
20000 |
22+ |
公司只有原装 品质保证 |
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InfineonSOP-8 |
890000 |
26+ |
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务 |
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14年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
8324 |
2402+ |
原装正品!实单价优! |
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18年
留言
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INFINEONSOP-8 |
2512 |
10+ |
全新 发货1-2天 |
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12年
留言
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Infineon/英飞凌SOP-8 |
5000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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BSO44图片
BSO4420中文资料Alldatasheet PDF
更多BSO440N10NS3 G功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSO440N10NS3GXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS
BSO4410功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSO4410NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin SO T/R
BSO4410T功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSO4420功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSO4420NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin DSO T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SO T/R
BSO4420T功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
