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BUJ303A	文件：233.45 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUJ303A	文件：619.07 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistor Generaldescription Highvoltage,highspeedplanarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT78(TO-220AB)plasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Lowthermalresistance •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitchingandconductionlosses Applications •DC-t	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303AD	文件：298.19 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistor Generaldescription Highvoltage,highspeedplanarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT428(DPAK)surfacemountableplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Lowthermalresistance •Surfacemountablepackage •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitching	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303AX	文件：74.32 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ303AX	文件：1.20297 Mbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistor Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT186A(TO220F)fullpackplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Isolatedpackage •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitchingandconductionlosses Applications •	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303B	文件：54.91 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ303B	文件：352.5 Kbytes Page：9 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303CD	文件：295.68 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistor Generaldescription HighvoltagehighspeedplanarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT428(DPAK)surfacemountableplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Lowthermalresistance •Surfacemountablepackage •TightDCgainspreads •Veryhighvoltagecapabili	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUP303	文件：431.75 Kbytes Page：7 Pages	IGBT(LowforwardvoltagedropHighswitchingspeedLowtailcurrentLatch-upfreeAvalancherated)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BVA303	文件：1.92477 Mbytes Page：16 Pages	DIGITALVARIABLEGAINAMPLIFIER	BEREX BeRex Corporation	BEREX

详细参数

型号：
BSO303SP
功能描述：
MOSFET Dual P-Channel -30V MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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