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BUJ303AX	文件：74.32 Kbytes Page：7 Pages	Silicon Diffused Power Transistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ303AX	文件：1.20297 Mbytes Page：13 Pages	NPN power transistor Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT186A(TO220F)fullpackplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Isolatedpackage •Veryhighvoltagecapability •Verylowswitchingandconductionlosses Applications •	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303AX_15	文件：571.49 Kbytes Page：13 Pages	NPN power transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ303AX,127	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 全封装，隔离接片；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 500V 5A TO220F	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303B	文件：54.91 Kbytes Page：7 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUJ303B	文件：352.5 Kbytes Page：9 Pages	SiliconDiffusedPowerTransistor GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaTO220ABenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUJ303CD	文件：295.68 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistor Generaldescription HighvoltagehighspeedplanarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT428(DPAK)surfacemountableplasticpackage. Featuresandbenefits •Fastswitching •Lowthermalresistance •Surfacemountablepackage •TightDCgainspreads •Veryhighvoltagecapabili	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BUP303	文件：431.75 Kbytes Page：7 Pages	IGBT(LowforwardvoltagedropHighswitchingspeedLowtailcurrentLatch-upfreeAvalancherated)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BVA303	文件：1.92477 Mbytes Page：16 Pages	DIGITALVARIABLEGAINAMPLIFIER	BEREX BeRex Corporation	BEREX
BVA303	文件：3.60265 Mbytes Page：15 Pages	30-4000MHzDIGITALVARIABLEGAINAMPLIFIER	BEREX BeRex Corporation	BEREX

详细参数

型号：
BUJ303AX
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN POWER TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	BUJ303AX	恩XP	25+	TO-220F	32360	NXP/恩智浦全新特价BUJ303AX即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多BUJ303AX供应商更新时间2025-7-24 17:54:00

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