BUJ303B中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
BUJ303B |
| 参数属性 | BUJ303B 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 400V 5A TO220AB |
| 功能描述 | Silicon Diffused Power Transistor |
| 文件大小 |
54.91 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ROYAL PHILIPS |
| 企业简称 |
Philips【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-25 11:41:00 |
BUJ303B规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
High-voltage, high-speed planar-passivated npn power switching transistor in a TO220AB envelope intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators, motor control systems, etc.
产品属性
- 产品编号：
BUJ303B,127
- 制造商：
WeEn Semiconductors
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1A，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
23 @ 800mA，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
TRANS NPN 400V 5A TO220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2018+ |
TO220 |
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询价 | ||
23+ |
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NXP |
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TO-220 |
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NXP |
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TO220 |
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NXP/恩智浦 |
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NXP |
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NXP |
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TO-220 |
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询价 |
