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BSO130N03MSGXUMA1中文资料MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
:BSO130N03MSGXUMA1
- 生产厂家
:Infineon
- 技术
:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss)
:30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:9A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
:4.5V,10V
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:13 毫欧 @ 11.1A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:2V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:17nC @ 10V
- Vgs(最大值)
:±20V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:1300pF @ 15V
- FET 功能
:-
- 功率耗散(最大值)
:1.56W(Ta)
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 供应商器件封装
:PG-DSO-8
- 封装/外壳
:8-SOIC(0.154\,3.90mm 宽)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
25+23+ |
SOP8 |
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INFINEON/英飞凌 |
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SOP-8 |
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INF |
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INFINEON |
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SOP-8 |
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INFINEON |
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SOP8 |
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SOP8 |
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Infineon |
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SOP8 |
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INFINEON |
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INFINEO |
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SOP-8 |
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24+ |
SOP8 |
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