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BSO130N03MSGXUMA1

MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO

Infineon

英飞凌

BSP125

223

Infineon

英飞凌

上传:深圳市粤科源兴科技有限公司

BSP129H6327XTSA1

SOT-223

BSP149H6327

SOT-223

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

BSP254A

TO-92

FAIRCHILD/仙童

上传:深圳广友电子有限公司

FAIRCHILD/仙童

技术参数

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    30V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    9A(Ta)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    4.5V,10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    13 毫欧 @ 11.1A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    2V @ 250µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    17nC @ 10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    1300pF @ 15V

  • 功率耗散(最大值):

    1.56W(Ta)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    PG-DSO-8

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154\,3.90mm 宽)

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更多BSO130N03MSGXUMA1供应商 更新时间2025-12-15 16:33:00