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BSO080P03NS3E G数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

BSO080P03NS3E G

功能描述

20V-250V P-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 22:30:00

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BSO080P03NS3E G规格书详情

描述 Description

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。

特性 Features

• 增强模式
• 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平
• 雪崩评级
• 无铅镀层;符合 RoHS

优势:

应用 Application

• 消费品
• 直流-直流
• 电动交通
• 电机控制
• 应用指南
• 板载充电器

技术参数

  • 制造商编号

    :BSO080P03NS3E G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :SO-8

  • VDS max

    :-30.0V

  • RDS (on) max

    :8.0mΩ

  • ID  max

    :-14.8A

  • Ptot max

    :1.6W

  • IDpuls max

    :48.0A

  • VGS(th) min max

    :-3.1V -1.9V

  • QG 

    :61.0nC 

  • Rth 

    :110.0K/W 

  • Ciss 

    :4500.0pF 

  • Coss 

    :2100.0pF 

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