BSN254数据手册Nexperia中文资料规格书
BSN254规格书详情
描述 Description
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using vertical D-MOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号:
BSN254
- 功能描述:
MOSFET AMMORA MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHSSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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PH |
25+ |
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PHI |
24+ |
NA/ |
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PHI |
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100000 |
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PHI |
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恩XP |
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TO92L |
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恩XP |
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SOT54 |
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PH |
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恩XP |
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TO-92 |
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NEXPERIA/安世 |
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