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BSM400GA120DN2	文件：210.99 Kbytes Page：11 Pages	IGBT Power Module • Single switch • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate 文件：210.99 Kbytes 页数：11 Pages	eupec	eupec
BSM400GA120DN2S	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga 文件：201.5 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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BSM400GA120DN2	文件：199.157 Kbytes Page：11 Pages	英飞凌IGBT BSM400GA120DN2 文件：199.157 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌 PDF上传者：苏州银邦电子科技有限公司	Infineon
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BSM400GA120DN2	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT Power Module	Infineon 英飞凌	Infineon
BSM400GA120DN2HOSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：模块；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 1200V 550A 2700W	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
BSM400GA120DN
功能描述：
IGBT 晶体管 1200V 400A SINGLE
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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更多BSM400GA120DN供应商更新时间2025-11-24 11:04:00

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