| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IGBT |
55 |
23+ |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEONN/A |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONN/A |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市秉祺电子科技有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌IGBT |
19600 |
21+ |
一站式BOM配单 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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IR |
2000 |
22+ |
原厂原装,价格优势!13246658303 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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IRN/A |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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EUPEC模块 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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EUPEC400A/1200V/I |
50 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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西门子IGBT模块模块 |
5500 |
23+ |
现货,全新原装 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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EUPEC400A1200V1 |
65 |
0626+ |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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infineonMODULE |
33812 |
21+ |
原厂原装渠道刚到新货假一罚十可开增票 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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EupecDIP-28 |
18000 |
23+ |
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BSM400GA120DN2模块，BSM400GA120DN2价格，采购在腾迅辉，BSM400GA120DN2全新原装
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更多BSM400GA120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2C功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2F功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2FS功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2FS_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2FSE32HOSA1制造商:Infineon Technologies AG
BSM400GA120DN2S功能描述:IGBT 晶体管 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BSM400GA120DN2S_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 2.5V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
