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BSM200GB120DN2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
BSM200GB120DN2规格书详情
描述 Description
IGBT Power Module
• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
简介
BSM200GB120DN2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的BSM200GB120DN2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 产品编号:
BSM200GB120DN2HOSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
- 包装:
托盘
- 配置:
半桥
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
3V @ 15V,200A
- 输入:
标准
- NTC 热敏电阻:
无
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
模块
- 供应商器件封装:
模块
- 描述:
IGBT MOD 1200V 290A 1400W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
英飞凌 |
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IGBT |
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