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BSM180D12P2E002	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）功率模块本品是使用ROHM生产的SiC-DMOSFET和SiC肖特基势垒二极管的斩波结构的SiC MOSFET模块。 • Low surge, low switching loss.\n• High-speed switching possible.\n• Reduced temperature dependance.;	ROHM 罗姆	ROHM
BSM180D12P2E002	文件：1.07799 Mbytes Page：12 Pages	SiC Power Module 文件：1.07799 Mbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BSM200GA120DLC	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	西门康上传：苏州银邦电子科技有限公司	西门康
BSM200GA120DN2	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	西门康上传：苏州银邦电子科技有限公司	西门康
BSM200GA120DN2	文件：0 bytes Page：0 Pages	全新原装质保一年	英飞凌 Infineon 上传：苏州银邦电子科技有限公司	英飞凌 Infineon

技术参数

封装：
E
包装数量：
4
最小独立包装数量：
4
包装形态：
Corrugated Cardboard
RoHS：
Yes
Drain-source Voltage[V]：
1200
Drain Current[A]：
204
Total Power Dissipation[W]：
1360
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]：
125
Package：
Half bridge
Package Size [mm]：
152x57.95 (t=18)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
浙江永芯科技有限公司	BSM180D12P2E002	ROHM	23+	标准封装	2000	全新原装正品现货直销	询价
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更多BSM180D12P2E002供应商更新时间2026-2-3 14:33:00

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