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BSH121规格书详情
描述 Description
Extremely low level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
BSH121
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
8398 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT-323 |
3000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
33558 |
NEXPERIA/安世全新特价BSH121即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Nexperia/安世 |
20+ |
SOT-323 |
12008 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-323 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
原装现货订货价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
1948+ |
SOT-323 |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 |
