BSH112中文资料N-channel TrenchMOS intermediate level FET数据手册Nexperia规格书
BSH112规格书详情
描述 Description
Intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
BSH112
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MO
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
标准封装 |
22048 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
NA/ |
20000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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恩XP |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
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PHI |
0611+ |
SOT23 |
9850 |
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恩XP |
22+ |
SOT-23 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
PHI |
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SOT23 |
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SOT-23 |
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恩XP |
24+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
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PHI |
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SOT-23 |
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询价 |
