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BSG0813NDI

Dual asymmetric N-channel OptiMOS?? MOSFET

文件:376.3 Kbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

BSG0813NDI_16

Dual asymmetric N-channel OptiMOS?? MOSFET

文件:376.3 Kbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

BSG220

Easy sharpening of drill bits from 3 to 13mm diameter, standard 118°.

文件:91.3 Kbytes 页数:1 Pages

PROXXON

BSG0811ND

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS ™ 5 电源模块采用外形为5.0x6.0mm²的无引脚 SMD 封装,包括同步降压转换器配置的低侧 MOSFET 和高侧 MOSFET。通过使用 OptiMOS ™ 5 电源模块替换两个独立的分立封装(如 SO8 或 SuperSO8),客户可以将设计缩小至85%。标准化电源模块可以使客户受益,因为市场上不同尺寸的封装类型极少。 • 最高平均负载电流 50A\n• 源极低侧 MOSFET 可实现更好的 PCB 冷却\n• 内部连接的低侧和高侧(低环路电感)\n• 高侧开尔文连接,可以提高驱动效率\n\n优势:\n• DC-DC 转换器布局紧凑而简洁\n• 具有最低环路电感和最佳热性能的优化布局;

Infineon

英飞凌

BSG0812ND

OptiMOS ™ 5 25 V 电源块,5x6 mm²

Infineon

英飞凌

BSG0812NDATMA1

MOSFET N-CH 8TISON

Infineon

英飞凌

BSG0812NDATMA1

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 8TISON

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    BSG

  • 制造商:

    TI

  • 制造商全称:

    Texas Instruments

  • 功能描述:

    138-mW DIRECTPATH STEREO HEADPHONE AMPLIFIER WITH I2C VOLUME CONTROL

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TI
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更多BSG供应商 更新时间2025-12-26 9:38:00