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BSG0813NDI	文件：696.69 Kbytes Page：15 Pages	Optimized for high performance buck converters 文件：696.69 Kbytes 页数：15 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSG0813NDI	文件：376.3 Kbytes Page：14 Pages	Dual asymmetric N-channel OptiMOS?? MOSFET 文件：376.3 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSG0813NDI_16	文件：376.3 Kbytes Page：14 Pages	Dual asymmetric N-channel OptiMOS?? MOSFET 文件：376.3 Kbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSG0813NDI	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET OptiMOS ™ 5 电源模块采用外形为5.0x6.0mm²的无引脚 SMD 封装，包括同步降压转换器配置的低侧 MOSFET 和高侧 MOSFET。通过使用 OptiMOS ™ 5 电源模块替换两个独立的分立封装（如 SO8 或 SuperSO8），客户可以将设计缩小至85％。标准化电源模块可以使客户受益，因为市场上不同尺寸的封装类型极少。 • 最高平均负载电流 50A\n• 源极低侧 MOSFET 可实现更好的 PCB 冷却\n• 内部连接的低侧和高侧（低环路电感）\n• 高侧开尔文连接，可以提高驱动效率\n\n优势:\n• DC-DC 转换器布局紧凑而简洁\n• 具有最低环路电感和最佳热性能的优化布局;	Infineon 英飞凌	Infineon

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