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BSD3C051VB

静电抑制二极管

BORNSEMI

伯恩斯

BSD3C051V

Microprocessor based equipment

Features Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 16A (8/20μs) 350Watts peak pulse power (tp = 8/20μs)

文件:496.96 Kbytes 页数:4 Pages

UMW

友台半导体

BSG0810NDI

INFINEON
TSDSON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

BSG0810NDI

INFINEON/英飞凌
TDSON-8

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

INFINEON/英飞凌

BSG0810NDIATMA1

Infineon
TISON-8

Infineon

英飞凌

上传:深圳市威尔健半导体有限公司

技术参数

  • Vbr.min(V):

    6

  • Cj.max(PF):

    140

  • Ppp(W)@8/20µS:

    600

  • Ipp(A)@8/20µS:

    40

  • Ir.max(µA):

    1

  • ESD Contact(kv):

    30

  • Package:

    SOD323

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BSD3C051VB供应商 更新时间2025-10-6 14:05:00