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BSG0810NDI

Pb-free lead plating; RoHS compliant

文件:480.13 Kbytes 页数:14 Pages

INFINEON

英飞凌

BSG0810NDI

Power Block

文件:382.95 Kbytes 页数:14 Pages

INFINEON

英飞凌

BSG0810NDI_16

Power Block

文件:382.95 Kbytes 页数:14 Pages

INFINEON

英飞凌

BSG0810NDI

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS ™ 5 电源模块采用外形为5.0x6.0mm²的无引脚 SMD 封装,包括同步降压转换器配置的低侧 MOSFET 和高侧 MOSFET。通过使用 OptiMOS ™ 5 电源模块替换两个独立的分立封装(如 SO8 或 SuperSO8),客户可以将设计缩小至85%。标准化电源模块可以使客户受益,因为市场上不同尺寸的封装类型极少。 • 最高平均负载电流 50A\n• 源极低侧 MOSFET 可实现更好的 PCB 冷却\n• 内部连接的低侧和高侧(低环路电感)\n• 高侧开尔文连接,可以提高驱动效率\n\n优势:\n• DC-DC 转换器布局紧凑而简洁\n• 具有最低环路电感和最佳热性能的优化布局;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    BSG0810NDIATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    PG-TISON-8

  • VDS max:

    25 V/25 V

  • RDS (on) @10V max:

    0.9 mΩ/3 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    1.2 mΩ/4 mΩ

  • QG typ @4.5V:

    5.6 nC/16 nC

  • Special Features:

    Monolithically Integrated Schottky-like Diode

  • Polarity:

    N+N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    150 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 5

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更多BSG0810NDI供应商 更新时间2026-2-4 22:59:00