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BSD3C051V	文件：496.96 Kbytes Page：4 Pages	Marking：05B；Package：SOD-323；Microprocessor based equipment Features Bidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)16A(8/20μs) 350Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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BSD3C051V

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Marking：05B；Package：SOD-323；Microprocessor based equipment

Features Bidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)16A(8/20μs) 350Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

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