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BSD3C051V	文件：496.96 Kbytes Page：4 Pages	丝印：05B；Package：SOD-323；Microprocessor based equipment Features Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current IEC 61000-4-2 ±30kV contact ±30kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 16A (8/20μs) 350Watts peak pulse power (tp = 8/20μs) 文件：496.96 Kbytes 页数：4 Pages	UMW 友台半导体	UMW
BSD3C051V	文件：300 bytes Page：1 Pages	TVS&ESD	BGSEMI	BGSEMI
BSD3C051V	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI
BSD3C051VB	文件：300 bytes Page：1 Pages	静电抑制二极管	BORNSEMI 伯恩斯	BORNSEMI

技术参数

Vbr.min(V)：
6
Cj.max(PF)：
75
Ppp(W)@8/20µS：
450
Ipp(A)@8/20µS：
22
Ir.max(µA)：
20
ESD Contact(kv)：
30
Package：
SOD323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BSD3C051V供应商更新时间2025-10-7 14:03:00

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